METHOD TO REMOVE RESIST, ETCH RESIDUE, AND COPPER OXIDE FROM SUBSTRATES HAVING COPPER AND LOW-K DIELECTRIC MATERIAL

A variety of compositions that are particularly applicable for removing one or more of resist, etching residue, planarization residue, and copper oxide from a substrate comprising copper and a low-k dielectric material are described. The resist, residues, and copper oxide are removed by contacting the substrate surface with the composition, typically for a period of (30) seconds to (30) minutes, and at a temperature between (25°) and (45°C). The composition includes a fluoride-providing component; at least (1%) by weight of a water miscible organic solvent; an organic acid; and at least (81%) by weight water. Typically the composition further includes up to about (0.4%) of one or more chelators. La présente invention concerne une variété de compositions qui s'utilisent en particulier pour retirer de la résine, un résidu de gravure, un résidu de planarisation et de l'oxyde de cuivre sur un substrat comprenant du cuivre et une matière diélectrique à faible k. La résine, les résidus et l'oxyde de cuivre sont retirés en mettant en contact la surface du substrat avec la composition, généralement pendant une période allant de 30 secondes à 30 minutes, à une température située entre 25° et 45 °C. Cette composition comprend un composant d'apport de fluorure, au moins 1 % en poids d'un solvant organique miscible à l'eau, un acide organique et au moins 81 % en poids d'eau. La composition comprend généralement jusqu'à environ 0,4 % d'un ou plusieurs agents chélateurs.