LOW-TEMPERATURE-GROWN (LTG) INSULATED-GATE PHEMT DEVICE AND METHOD

A pseudomorphic-high-electron-mobility-transistor (PHEMT) includes a substrate, a low-temperature-grown (LTG) GaAs gate-insulator layer disposed on the substrate, and a gate electrode disposed on the gate-insulator layer. L'invention concerne un transistor pseudomorphique à haute mobilité élect...

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Hauptverfasser: XU, DONG, KONG, WENDELL, M., T, NICHOLS, KIRBY, B, ACTIS, ROBERT
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
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Beschreibung
Zusammenfassung:A pseudomorphic-high-electron-mobility-transistor (PHEMT) includes a substrate, a low-temperature-grown (LTG) GaAs gate-insulator layer disposed on the substrate, and a gate electrode disposed on the gate-insulator layer. L'invention concerne un transistor pseudomorphique à haute mobilité électronique (PHEMT) comprenant un substrat, une couche isolante de grille GaAs à croissance à basse température (LTG) disposée sur le substrat et une électrode de grille disposée sur la couche isolante de grille.