SINGLE MASK MIM CAPACITOR AND RESISTOR WITH IN TRENCH COPPER DRIFT BARRIER

The formation of a MIM (metal insulator metal) capacitor (164) and concurrent formation of a resistor (166) is disclosed. A copper diffusion barrier is formed over a copper deposition (110) that serves as a bottom electrode (170) of the capacitor (164). The copper diffusion barrier mitigates unwanted diffusion of copper from the copper deposition (110), and is formed via electro-less deposition such that little to none of the barrier material is deposited at locations other than over a top surface of the deposition of copper/bottom electrode. Subsequently, layers of dielectric (150) and conductive (152) materials are applied to form a dielectric (172) and top electrode (174) of the MIM capacitor (164), respectively, where the layer of conductive top electrode material (152) also functions to concurrently develop the resistor (166) on the same chip as the capacitor (164). L'invention porte sur la formation d'un condensateur MIM (métal-isolant-métal) (164) et sur la formation ultérieure d'une résistance (166). Selon l'invention, on forme une barrière contre la diffusion du cuivre au-dessus d'un dépôt de cuivre (110) qui sert d'électrode inférieure (170) du condensateur (164). La barrière contre la diffusion du cuivre, qui réduit la diffusion indésirable du cuivre s'échappant du dépôt de cuivre (110), est formée par dépôt autocatalytique de manière que seule un partie réduite, voire nulle, du matériau de la barrière se dépose en d'autres emplacements que sur la surface supérieure du dépôt de cuivre/électrode inférieure. On applique ensuite des couches de matériau diélectrique (150) et conducteur (152) afin de former un diélectrique (172) et une électrode supérieure (174) du condensateur MIM (164), respectivement, la couche de matériau d'électrode supérieure conducteur (152) servant aussi à former simultanément la résistance (166), sur la même puce que le condensateur (164).