A HIGH DYNAMIC RANGE LOW-POWER DIFFERENTIAL INPUT STAGE
A low-power high dynamic range RF input stage (200) with a noiseless degeneration component, such as a capacitor (201), is provided. High dynamic range means a combination of low noise contribution by the stage (200) and a low level of intermodulation products occurring especially at high input leve...
Gespeichert in:
Hauptverfasser: | , , |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | eng ; fre |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Zusammenfassung: | A low-power high dynamic range RF input stage (200) with a noiseless degeneration component, such as a capacitor (201), is provided. High dynamic range means a combination of low noise contribution by the stage (200) and a low level of intermodulation products occurring especially at high input levels. Low power means that the power consumption of a conventional input stage is about 5 times higher than the power consumption of the stage according to the invention, for the same noise, gain and distortion level. This new stage can be used in amplifiers, but also in the lower stage of double balanced mixers (300-400) commonly used in RF receivers, examples of which are applications, are provided.
L'invention concerne un étage d'entrée RF à faible puissance et à gamme dynamique élevée (200) présentant un composant de contre-réaction silencieuse, tel qu'un condensateur (201). Gamme dynamique élevée signifie une combinaison d'apport de bruit faible de l'étage (200) et d'un faible niveau de produits d'intermodulation apparaissant spécialement à des niveaux d'entrée élevés. Faible puissance signifie que la consommation d'un étage d'entrée classique est environ 5 fois plus élevée que la consommation de l'étage selon l'invention, pour le même niveau de bruit, de gain et de distorsion. Ledit nouvel étage peut être utilisé dans des amplificateurs, mais également dans l'étage inférieur de mélangeurs doublement équilibrés (300-400) communément utilisés dans des récepteurs RF, tel qu'illustré dans des applications. |
---|