PLATING DEVICE, PLATING METHOD, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

In a face down type jet plating device, it is possible to prevent lowering of the plating quality caused by a minute solid foreign matter attributed to a black film. In the face down type plating device, a partition wall (7) is provided between a semiconductor wafer (1) and an anode electrode (5) so that the anode electrode (5) is separated from the semiconductor wafer (1) by the partition wall (7). A plating bath (100) is divided into a substrate-to-be-plated chamber and an anode electrode chamber. Il est possible, dans un dispositif de plaquage par jet du type à face vers le bas, de prévenir la diminution de la qualité du plaquage provoquée par une matière étrangère solide minuscule attribuée à un film noir. Dans le dispositif de plaquage par jet du type à face vers le bas, une paroi de séparation (7) est prévue entre une tranche de semi-conducteur (1) et une électrode d'anode (5) de telle sorte que l'électrode d'anode (5) soit séparée de la tranche de semi-conducteur (1) grâce à la paroi de séparation (7). Un bain de plaquage (100) est divisé en une chambre de substrat devant être plaqué et une chambre d'électrode d'anode.