FORMATION OF ULTRA-SHALLOW JUNCTIONS BY GAS-CLUSTER ION IRRIDATION

Method of forming one or more doped regions (310) in a semiconductor substrate (302) and semiconductor junctions (304) for thereby, using gas cluster ion beams (306). La présente invention concerne un procédé pour former une ou plusieurs zones dopées dans un substrat semi-conducteur, et des jonction...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	SKINNER, WESLEY, J, HAUTALA, JOHN, J, BORLAND, JOHN, O
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Method of forming one or more doped regions (310) in a semiconductor substrate (302) and semiconductor junctions (304) for thereby, using gas cluster ion beams (306). La présente invention concerne un procédé pour former une ou plusieurs zones dopées dans un substrat semi-conducteur, et des jonctions à semi-conducteur formées grâce à ce procédé, au moyen de faisceaux d'ions d'agrégats gazeux.