PRODUCTION OF CORE/SHELL SEMICONDUCTOR NANOCRYSTALS IN AQUEOUS SOLUTIONS

The present invention relates to a method of forming a core/shell nanocrystal of semiconductor material. Typically the core may comprise CdTe and the shell may be CdS. The shell is synthesised on the core in an aqueous solution. In the method, the previously synthesised cores are placed in the aqueous solution, reactants that form the shell and a thiol such as 3-mercaptopropionic acid (MPA) are added, and the mixture is refluxed until the completion of the shell at the desired thickness. The synthesis of the shell is aided by the provision of an interface zone between the shell and core so that lattice mismatch between the core and shell is reduced. The interface zone may be produced using a method that provides a gradient alloyed core with increased levels of sulphur, for example, at the surface relative to the centre of the core. Alternatively the interface zone may be a separate layer on a homogenous core. L'invention concerne un procédé permettant de produire un nanocristal coeur-enveloppe constitué d'un matériau semi-conducteur. Généralement, le coeur peut comprendre du CdTe et l'enveloppe peut être du CdS. L'enveloppe est synthétisée sur le coeur dans une solution aqueuse. Dans ce procédé, les coeurs précédemment synthétisés sont placés dans la solution aqueuse, les réactifs qui forment l'enveloppe et un thiol tel que de l'acide 3-mercaptopropionique (MPA) sont ajoutés et le mélange est reflué jusqu'à ce que l'enveloppe soit terminée à l'épaisseur voulue. Le placement d'une zone d'interface entre l'enveloppe et le coeur contribue à la synthèse de l'enveloppe de façon que l'inégalité des paramètres de maille entre le coeur et l'enveloppe soit réduite. La zone d'interface peut être produite au moyen d'un procédé qui produit un coeur à alliage à gradient présentant des taux élevés de soufre, par exemple, au niveau de la surface par rapport au centre du coeur. Dans une variante, la zone d'interface peut être une couche séparée sur un coeur homogène.