VIRTUAL GROUND MEMORY ARRAY AND METHOD THEREFOR

A virtual ground memory array (VGA) (10) is formed by a storage layer (14) over a substrate (12) with a conductive layer (16, 18) over the storage layer (14). The conductive layer (16, 18) is opened according to a patterned photoresist layer. The openings are implanted (20) to form source/drain lines (22, 24, 26) in the substrate (12), then filled with a layer of dielectric material (28). Chemical mechanical polishing (CMP) is then performed until the top of the conductive layer (16, 18) is exposed. This leaves dielectric spacers (30, 32, 34) over the source/drain lines (22, 24, 26) and conductive material between the dielectric spacers (30, 32, 34). Word lines (36) are then formed over the conductive material (16, 18) and the dielectric spacers (30, 32, 34). As an alternative, instead of using a conductive layer (16, 18), a sacrificial layer (68) is used that is removed after the CMP step. After removing the sacrificial portions, the word lines (80) are formed. In both cases, dielectric spacers (16, 18, 56, 58) reduce gate/drain capacitance and the distance from substrate (12) to gate is held constant across the channel. L'invention concerne un adaptateur graphique (VGA) (10), constitué d'une couche mémoire (14) disposée sur un substrat (12) et d'une couche conductrice (16, 18) disposée sur la couche mémoire (14). La couche conductrice (16, 18) est ouverte comme une couche à photorésine structurée. Les ouvertures sont implantées (20) de façon à former des canaux de source/drain (22, 24, 26) dans le substrat (12), puis remplies d'une couche de matériau diélectrique (28). Un polissage chimico-mécanique (CMP) est ensuite effectué jusqu'à ce que la surface de la couche conductrice (16, 18) soit exposée, ce qui laisse des espaceurs diélectriques (30, 32, 34) au-dessus des canaux de source/drain (22, 24, 26) et le matériau conducteur entre les espaceurs diélectriques (30, 32, 34). Des canaux mots (36) sont ensuite formés sur le matériau conducteur (16, 18) et les espaceurs diélectriques (30, 32, 34). En variante, une couche sacrificielle (68) est utilisée à la place d'une couche conductrice (16, 18) puis retirée après l'étape de polissage CMP. Après retrait des parties sacrificielles, les canaux mots (80) sont formés. Dans les deux cas, des espaceurs diélectriques (16, 18, 56, 58) réduisent la capacité de la grille/du drain, et la distance séparant le substrat (12) de la grille est maintenue constante d'un bout à l'autre du canal.