MOSFET DEVICE AND RELATED METHOD OF OPERATION

The present invention provides for a MOSFET device (10) having a body diode structure (22) and provided with biasing means arranged to provide a bias voltage selectively applied to the gate of the MOSFET (12) during reverse recovery of the body diode structure (22) so as to reduce reverse recovery transient signals associated with the body diode structure (22), the biasing means comprising a diode device (16) located in the gate path of the device (10). La présente invention a trait à un dispositif à transistor MOS à effet de champ (10) comportant une structure de diode de corps (22) et muni de moyens de polarisation agencés pour fournir une tension de polarisation d'application sélective à la grille du transistor MOS à effet de champ (12) lors de la récupération inverse de la structure de diode de corps (22) en vue de réduire les signaux transitoires de récupération inverse associés à la structure de diode de corps (22), les moyens de polarisation comprenant un dispositif à diodes (16) disposé dans le chemin de grille du dispositif (10).