METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE OBTAINED WITH SUCH A METHOD

The invention relates to a method of manufacturing a semiconductor device (10) in which a semiconductor body (11) comprising silicon is provided, at a surface thereof, with a first semiconductor layer (1) having a lattice of a mixed crystal of silicon and germanium, which lattice is substantially relaxed, and on top of the first semiconductor layer (1) a second semiconductor layer (2) is situated comprising strained silicon, in which layer (2) an active part of the semiconductor device (10) is formed, and wherein the first semiconductor layer (1) is formed above a patterned insulating layer (200) which is present in the semiconductor body (11) of silicon. According to the invention the method is characterized in that the insulating layer (200) is provided on top of the semiconductor body (11) and patterned such as to comprise a window (21) bordering a region (20) of the insulating layer, and in that the first semiconductor layer (1) is directly grown on the part of the semiconductor body (11) below the window (21) and the region (20) of the insulating layer is covered with the first semiconductor layer by lateral overgrowth. In this way either a substantially defect-free strain-relaxed layer (1) is obtained or a strain-relaxed layer (1) of which at least the part that, viewed in projection, is above the insulating region (20) is substantially defect-free. L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur (10), dans lequel un corps semi-conducteur (11) contenant du silicium se situe au niveau d'une surface correspondante, avec une première couche semi-conductrice (1) possédant un réseau d'un cristal mélangé de silicium et de germanium qui est en partie détendu, et sur la partie supérieure de la première couche semi-conductrice (1) est disposée une seconde couche semi-conductrice (2) qui renferme du silicium contraint. Dans cette couche (2), une partie active du dispositif semi-conducteur (10) est formée, et la seconde couche semi-conductrice (1) est constituée au-dessus d'une couche d'isolation à motif (200) qui est présente dans le corps semi-conducteur (11) de silicium. Selon cette invention, le procédé est caractérisé en ce que la couche d'isolation (200) se trouve sur la partie supérieure du corps semi-conducteur (11) et est conçue de façon à comprendre une fenêtre (21) qui borde une région (20) de la couche d'isolation et en ce que la première couche semi-conductrice (1) a crû directement sur la partie du corps semi-conduct