LIGHT SCATTERING EUVL MASK

A light scattering EUVL mask and a method of forming the same comprises depositing (300) a crystalline silicon layer (110) over an ultra low expansion substrate (100), depositing a hardmask over the crystalline silicon layer (310), patterning the hardmask (340); etching the crystalline silicon layer (350), removing the hardmask (360), and depositing a Mo/Si layer over the crystalline silicon layer (360), wherein etched regions of the crystalline silicon layer comprise uneven surfaces in the etched regions. The method further comprises depositing a photoresist mask (320) over the hardmask, creating a pattern in the photoresist mask (330), and transferring the pattern to the hardmask (340). The Mo/Si layer (160) comprises uneven surfaces conformal with the sloped surfaces off the crystalline silicon layer (110), wherein the sloped surfaces of the Mo/Si layer may be configured as roughened, jagged, sloped, or curved surfaces, wherein the uneven surfaces deflect incoming extreme ultraviolet radiation waves to avoid collection by exposure optics and prevent printing onto a semiconductor wafer. La présente invention concerne un masque pour lithographie aux ultraviolets extrêmes (EUVL) à diffusion de la lumière et un procédé permettant de réaliser un tel masque. Le procédé décrit dans cette invention consiste à déposer (300) une couche de silicium cristallin (110) sur un substrat à très faible expansion (100); à déposer un masque dur sur la couche de silicium cristallin (310); à créer un motif dans le masque dur (340); à graver la couche de silicium cristallin (350); à retirer le masque dur (360); et à déposer une couche Mo/Si sur la couche de silicium cristallin (360), les zones gravées de la couche de silicium cristallin présentant des surfaces irrégulières. Le procédé décrit dans cette invention consiste également à déposer un masque en photorésine (320) sur le masque dur; à créer un motif dans le masque en photorésine (330); puis à transférer le motif sur le masque dur (340). La couche Mo/Si (160) présente des surfaces irrégulières qui s'adaptent aux surfaces inclinées de la couche de silicium cristallin (110); les surfaces inclinées de la couche Mo/Si peuvent être configurées comme des surfaces incurvées, inclinées, dentelées ou rugueuses; les surfaces irrégulières permettant de dévier les ondes du rayonnement ultraviolet extrême afin d'éviter l'enlèvement par une optique d'exposition et afin d'empêcher l'impression sur une tranche semi-conductrice.