SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING GRATINGS FORMED USING QUANTUM DOTS AND METHOD OF MANUFACTURE

The present invention provides semiconductors devices comprising gratings formed with aquantum dots. The invention further provides a method for the manufacture of the gratings of self-aligned quantum dot (QD) structures in these devices by using a template (23). These optical devices can be semiconductor lasers, waveguide devices, optical filters, DFB lasers, DBR devices, band-pass filters, photonic bandgap structures and the like. Furthermore, the invention provides a method of manufacture of gain­-coupled gratings without the need to etch the active layer of the laser. La présente invention concerne un dispositif semi-conducteur comprenant des réseaux formés avec des points quantiques. Cette invention concerne aussi un procédé de fabrication de ces réseaux de structures de points quantiques auto lignés (QD) dans le dispositif au moyen d'une matrice (23). Les dispositifs optiques peuvent être des lasers semi-conducteurs, des dispositifs de guide d'onde, des filtres optiques, des lasers DFB, des dispositifs DBR, des filtres passe bande, des structures à bande interdite photonique et d'autres dispositifs similaires. Par ailleurs, cette invention concerne un procédé de fabrication de réseaux couplés par le gain sans qu'il soit nécessaire de graver la couche active du laser.