METHOD FOR STRUCTURING AT LEAST ONE LAYER AND ELECTRIC COMPONENT WITH STRUCTURES FROM SAID LAYER

Die Erfindung gibt ein Verfahren zur Erzeugung von zumindest einer strukturierten Schicht (10A) an, wobei eine Maskenstruktur (20) mit einer ersten (20A) und einer zweiten Struktur (20B) auf einer auf einem Substrat (5) befindlichen Schicht (10) erzeugt wird. Durch diese Maskenstruktur (20) hindurch wird die erste Struktur (20A) mittels isotroper Strukturierungsverfahren und die zweite Struktur (20B) mittels anisotroper Strukturierungsverfahren auf die Schicht (10) übertragen. Das erfindungsgemässe Verfahren erlaubt die Erzeugung von zwei Strukturen (20A, 20B) in zumindest einer Schicht mit einer einzigen Maskenstruktur. The invention provides a method for producing at least one structured layer (10A), whereby a mask structure (20), with a first (20A) and second structure (20B), is produced on a layer (10), located on a substrate (5). By means of said mask structure (20), the first structure (20A) and the second structure (20B) respectively are transferred onto the layer (10) by isotropic structuring methods and anisotropic structuring methods. The inventive method allows the production of two structures (20A, 20B) in at least one layer with only one mask structure. L'invention concerne un procédé pour former au moins une couche structurée (10A), selon lequel une structure de masquage (20), pourvue d'une première (20A) et d'une seconde structure (20B), est formée sur une couche (10) située sur un substrat (5). Par l'intermédiaire de cette structure de masquage (20), la première structure (20A) et la seconde structure (20B) sont transférées sur la couche (10) respectivement par des procédés de structuration isotropes et des procédés de structuration anisotropes. Le procédé selon l'invention permet la formation de deux structures (20A, 20B) dans au moins une couche à l'aide d'une seule structure de masquage.