METHODS OF PROCESSING A SUBSTRATE WITH MINIMAL SCALLOPING

The present invention provides methods of processing a substrate with minimal scalloping. By processing substrates with minimal scalloping, feature tolerance and quality may be improved. An embodiment of the present invention provides a method for etching a feature in a layer through an etching mask...

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: PANDHUMSOPORN, TAMARAK
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
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Beschreibung
Zusammenfassung:The present invention provides methods of processing a substrate with minimal scalloping. By processing substrates with minimal scalloping, feature tolerance and quality may be improved. An embodiment of the present invention provides a method for etching a feature in a layer through an etching mask by alternating steps of polymer deposition and substrate etching in any order. In order to achieve the benefits described herein, process gas pressures between process steps may be substantially equivalent. In some embodiments a continuous plasma stream may be maintained throughout substrate processing. In still other embodiments, process gases may be controlled by a single mass flow control valve so that process gases may be switched to within less than 250 milliseconds. La présente invention concerne des procédés de traitement d'un substrat au moyen d'une dentelure minimale. Ce traitement de substrats à l'aide d'une dentelure minimale permet d'améliorer la tolérance et la qualité des détails. Un mode de réalisation de cette invention a pour objet un procédé de gravure d'un détail dans une couche à travers un masque de gravure par alternance d'étapes de dépôt polymère et de gravure de substrat dans un ordre quelconque. En vue d'obtenir les avantages mentionnés, des pressions de gaz de traitement entre des étapes de traitement peuvent être pratiquement équivalentes. Dans certains modes de réalisation, un flux de plasma continu peut être maintenu tout au long du traitement du substrat. Dans des modes de réalisation différents, des gaz de traitement peuvent être régulés par une seule soupape de commande de l'écoulement de masse, de telle façon que des gaz de traitement peuvent être permutés en moins de 250 millisecondes.