SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE

This invention relates to a semiconductor device (105) and a method of manufacturing this device. A preferred embodiment of the invention is a semiconductor device (105) comprising a silicon semiconductor substrate (110), an oxide layer (115) and an active layer (120). In the active layer, insulating areas (125) and an active area (127) have been formed. The active area (127) comprises a source (180), a drain (182) and a body (168). The source (180) and drain (182) also comprise source and drain extensions (184, 186). The active layer (120) is provided with a gate (170). On both sides of the gate (170), L-shaped side wall spacers are located. The source (180) and drain (182) also comprise silicide regions (190, 192). A characteristic of these regions is that they have extensions (194, 196) located under the side wall spacers (136, 138). These extensions (194, 196) strongly reduce the series resistance of the source (194) and drain (196), which significantly improves the performance of the semiconductor device (105). La présente invention porte sur un dispositif semi-conducteur (105) et sur un procédé de fabrication de ce dispositif. Un mode de réalisation préféré de cette invention concerne un dispositif semi-conducteur (105) comprenant un substrat semi-conducteur en silicium (110), une couche d'oxyde (115) et une couche active (120). Dans la couche active, des surfaces d'isolation (125) et une surface active (127) sont formées. La surface active (127) comprend une source (180), un drain (182) et un corps (168). La source (180) et le drain (182) comprennent également des extensions de la source et du drain (184, 186). La couche active (120) comprend une grille (170). Des espaceurs de paroi latérale en forme de L sont disposés de chaque côté de la grille (170). La source (180) et le drain (182) comprennent par ailleurs des zones de siliciure (190, 192). Ces zones se caractérisent en ce qu'elles comprennent des extensions (194, 196) placées sous les espaceurs de paroi latérales (136, 138). Ces extensions (194, 196) réduisent considérablement la résistance en série de la source (194) et du drain (196), ce qui améliore considérablement les performances du dispositif semi-conducteur (105).