CONTROLLING REMOVAL RATE UNIFORMITY OF AN ELECTROPOLISHING PROCESS IN INTEGRATED CIRCUIT FABRICATION

A metal layer formed on a wafer, the wafer having a center portion and an edge portion, is electropolished by aligning a nozzle and the wafer to position the nozzle adjacent to the center portion of the wafer. The wafer is rotated. As the wafer is rotated, a stream of electrolyte is applied from the nozzle onto a portion of the metal layer adjacent to the center portion of the wafer to begin to electropolish the portion of the metal layer with a triangular polishing profile to initially expose an underlying layer underneath the metal layer at a point. Une couche métallique formée sur une plaquette ayant une partie centrale et une partie de bord est polissée électrochimiquement par alignement d'une buse et la plaquette afin de placer la buse adjacente à la partie centrale de la plaquette. La plaquette tourne et à mesure qu'elle tourne, un courant d'électrolyte est appliqué depuis la buse sur une partie de la couche métallique adjacente à la partie centrale de la plaquette afin de commencer le polissage électrochimique de la partie de la couche avec un profil de polissage triangulaire afin d'exposer d'abord une couche sous-jacente sous la couche métallique en un point.