SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE
[PROBLEMS] For a semiconductor light-emitting device having a transparent conductive oxide film on a semiconductor layer, there is disclosed an electrode which maintains a sufficient transparency and enables to improve the light taking-out efficiency while attaining a good ohmic connection by reduci...
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| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; fre ; jpn |
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| Zusammenfassung: | [PROBLEMS] For a semiconductor light-emitting device having a transparent conductive oxide film on a semiconductor layer, there is disclosed an electrode which maintains a sufficient transparency and enables to improve the light taking-out efficiency while attaining a good ohmic connection by reducing the Schottky barrier between the semiconductor layer and the conductive oxide film and suppressing the contact resistance to the minimum. Also disclosed is a semiconductor light-emitting device comprising such an electrode. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] Specifically disclosed is a semiconductor light-emitting device wherein a conductive oxide film containing at least one element selected from the group consisting of zinc, indium, tin and magnesium is formed on a semiconductor layer and electrically connected thereto. The conductive oxide film has a plurality of air gaps in the vicinity of the interface with the semiconductor layer.
L'invention concerne une électrode destinée à un dispositif électroluminescent à semi-conducteur comprenant un film d'oxyde transparent et conducteur disposé sur une couche de semi-conducteur. Cette électrode permet de maintenir une transparence suffisante et d'améliorer le rendement lumineux, tout en établissant un couplage ohmique satisfaisant, en réduisant la barrière de Schottky entre la couche de semi-conducteur et le film d'oxyde conducteur, et en réduisant la résistance de contact à un minimum. L'invention concerne également un dispositif électroluminescent à semi-conducteur comprenant une telle électrode. De manière plus spécifique, cette invention concerne un dispositif électroluminescent à semi-conducteur qui comprend un film d'oxyde conducteur contenant au moins un élément choisi dans la groupe constitué par le zinc, l'indium, l'étain et le magnésium, formé sur une couche de semi-conducteur et couplé électriquement à cette dernière. Le film d'oxyde conducteur contient une pluralité de lames d'air situées à proximité de l'interface avec la couche de semi-conducteur. |
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