POWER SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD THEREFOR CROSS REFERENCE TO RELATED APPLICATIONS

A power transistor includes a plurality of transistor cells. Each transistor cell has a first electrode coupled to a first electrode interconnection region overlying a first major surface, a control electrode coupled to a control electrode interconnection region overlying the first major surface, and a second electrode coupled to a second electrode interconnection region overlying a second major surface. Each transistor cell has an approximately constant doping concentration in the channel region. A dielectric platform is used as an edge termination of an epitaxial layer to maintain substantially planar equipotential lines therein. The power transistor finds particular utility in radio frequency applications operating at a frequency greater than 500 megahertz and dissipating more than 5 watts of power. The semiconductor die and package are designed so that the power transistor can efficiently operate under such severe conditions. Transistor de puissance comprenant plusieurs cellules de transistors. Chaque cellule de transistor comporte une première électrode couplée à une première zone d'interconnexion d'électrodes chevauchant une première surface importante, une électrode de commande couplée à une zone interconnexion d'électrodes de commande chevauchant la première surface importante, et une deuxième électrode couplée à une deuxième zone d'interconnexion d'électrodes chevauchant une deuxième surface importante. Chaque cellule de transistor présente une concentration de dopage à peu près constante dans la zone canal. Une plate-forme diélectrique sert de terminaison marginale d'une couche épitaxiale assurant le maintien dans celle-ci de lignes équipotentielles sensiblement planes. Le transistor de puissance trouve application notamment dans les applications radiofréquence fonctionnant à une fréquence supérieure à 500 MHz et dissipant plus de cinq watts de puissance. Le moule à semi-conducteurs et le boîtier sont conçus de telle sorte que le transistor de puissance puisse fonctionner de façon efficace dans des conditions aussi sévères.