IMPROVED GAP-FILL TECHNIQUES

A variety of techniques may be employed, separately or in combination, to improve the gap-filling performance of a dielectric material formed by chemical vapor deposition (CVD). In one approach, a first dielectric layer is deposited using sub-atmospheric chemical vapor deposition (SACVD), followed by a second dielectric layer deposited by high density plasma chemical vapor deposition (HDP-CVD) or plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD). In another approach, a SACVD dielectric layer is deposited in the presence of reactive ionic species flowed from a remote plasma chamber into the processing chamber, which performs etching during the deposition process. In still another approach, high aspect trenches may be filled utilizing SACVD in combination with oxide layers deposited at high temperatures. L'invention concerne un éventail de techniques pouvant être employées, isolément ou en combinaison, pour améliorer le remplissage d'intervalle par matériau diélectrique établi en dépôt chimique en phase vapeur (CVD). Selon une variante, une première couche diélectrique est déposée en CVD sub-atmosphérique (SACVD), puis une seconde couche diélectrique est déposée en CVD à plasma haute densité (HDP-CVD) ou CVD à renforcement au plasma (PECVD). Selon une autre variante, une couche diélectrique SACVD est déposée, en présence d'espèce ionique réactive issue d'une chambre à plasma distante, dans la chambre de traitement, pour la conduite d'un processus d'attaque durant l'opération de dépôt. Selon une autre variante encore, des tranchées à rapport d'aspect élevé peuvent être remplies par SACVD en combinaison avec des couches d'oxyde déposées à des températures élevées.