METHOD OF FORMING A SEMICONDUCTOR PACKAGE AND STRUCTURE THEREOF

An electromagnetic interference (EMI) and/or electromagnetic radiation shield is formed by forming a conductive layer (42, 64) over a mold encapsulant (35, 62). The conductive layer (42, 64) may be electrically coupled using a wire to the leadframe (10, 52) of the semiconductor package (2, 50). The electrical coupling can be performed by wire bonding two device portions (2, 4, 6, 8) of a leadframe (10) together and then cutting the wire bond (32) by forming a groove (40) in the overlying mold encapsulant (35) to form two wires (33). The conductive layer (42) is then electrically coupled to each of the two wires (33). In another embodiment, a looped wire bond (61) is formed on top of a semiconductor die (57). After mold encapsulation, portions of the mold encapsulant (62) are removed to expose portions of the looped wire bond (61). The conductive layer (64) is then formed over the mold encapsulant (62) and the exposed portion of the looped wire bond (61) so that the conductive layer (64) is electrically coupled to the looped wire bond (61). Selon l'invention un écran de protection contre les interférences électromagnétiques (EMI) et/ou contre les rayonnements électromagnétiques est obtenu par formation d'une couche conductrice (42, 64) sur un agent d'encapsulation par moulage (35, 62). La couche conductrice (42, 64) peut être électriquement couplée à l'aide d'un fil à la grille de connexion (10, 52) du boîtier de semi-conducteurs (2, 50). Le couplage électrique peut être effectuée par connexion de fils de deux parties de dispositif (2, 4, 6, 8) d'une grille de connexion (10), suivie de la découpe de la connexion de fils (32) par formation d'une rainure (40) dans l'agent d'encapsulation par moulage (35) afin de former deux fils (33). La couche conductrice (42) est ensuite électriquement couplée à chacun des deux fils (33). Dans un autre mode de réalisation, une connexion de fils en boucle (61) est formée au-dessus d'une puce semi-conductrice (57). Après encapsulation de moulage, des parties de l'agent d'encapsulation par moulage (62) sont éliminées afin d'exposer des parties de la connexion de fils en boucle (61). La couche conductrice (64) est alors formée sur l'agent d'encapsulation par moulage (62) et sur la partie exposée de la connexion de fils en boucle (61) de sorte que la couche conductrice (64) est électriquement couplée à la connexion de fils en boucle (61).