ELECTRONIC DEVICES AND METHODS FOR MAKING SAME USING NANOTUBE REGIONS TO ASSIST IN THERMAL HEAT-SINKING

A semiconductor device die (10, 116) is disposed on a heat-sinking support structure (30, 100). Nanotube regions (52, 120) contain nanotubes (54, 126) are arranged on a surface of or in the heatsinking support structure (30,100). The nanotube regions (52, 120) are arranged to contribute to heat tran...

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	BECKER, CHARLES, A, WEAVER, STANTON, E., JR, GERSTLER, WILLIAM, D, CARNAHAN, JAMES, C, ARIK, MEHMET
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS BLASTING DETAILS OF HEAT-EXCHANGE AND HEAT-TRANSFER APPARATUS, OFGENERAL APPLICATION ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY HEAT EXCHANGE IN GENERAL HEATING LIGHTING MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES MECHANICAL ENGINEERING NANOTECHNOLOGY PERFORMING OPERATIONS SEMICONDUCTOR DEVICES SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES TRANSPORTING WEAPONS
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Beschreibung
Zusammenfassung:	A semiconductor device die (10, 116) is disposed on a heat-sinking support structure (30, 100). Nanotube regions (52, 120) contain nanotubes (54, 126) are arranged on a surface of or in the heatsinking support structure (30,100). The nanotube regions (52, 120) are arranged to contribute to heat transfer from the semiconductor device die (10, 116) to the heat-sinking support structure (30, 100). In one embodiment, the semiconductor device die (10) includes die electrodes (20, 22), and the support structure (30) includes contact pads (40, 42) defined by at least some of the nanotube regions (52). The contact pads (40, 42) electrically and mechanically contact the die electrodes (20, 22). In another embodiment, the heat-sinking support structure (100) includes microchannels (120) arranged laterally in the support structure (100). At least some of the nanotube regions are disposed inside the microchannels (100). Une puce de dispositif à semiconducteur (10, 116) est prévue sur une structure de support de dissipation thermique (30, 100). Des zones de nanotubes (52, 120) contenant des nanotubes (54, 126) sont prévues sur une surface de la structure de support de dissipation thermique (30, 100) ou dans celle-ci. Les zones de nanotubes (52, 120) sont conçues pour contribuer au transfert thermique de la puce de dispositif à semiconducteur (10, 116) à la structure de support de dissipation thermique (30, 100). Dans un mode de réalisation, la puce de dispositif à semiconducteur (10, 116) comprend des puces électrodes (20, 22) et la structure de support (30) comprend des plots de connexion (40, 42) définis par au moins certaines des zones de nanotubes (52). Les plots de connexion (40, 42) sont en contact électrique et mécanique avec les électrodes puces (20, 22). Dans un autre mode de réalisation, la structure de support de dissipation thermique (100) comprend des microcanaux (120) disposés latéralement dans celle-ci (100). Au moins certaines des zones de nanotubes sont placées à l'intérieur des microcanaux (100).