METHOD FOR PRODUCING HIGH-PURITY SILICON TETRAFLUORIDE

The invention relates to production technology of polycrystalline semiconductor silicon from natural silicon-containing concentrates. The aim of said invention is to produce a high-purity polycrystalline semiconductor silicon reducing the production cost thereof by isolating silicon tetrafluoride by fluorination of natural silicon oxides in the form of quartz sand or quartzite with a recovered elementary fluorine, electolytically reducing said silicon tetrafluoride in the eutectic melt of fluoride salts of alkaline elements and by washing off electrolyte salts and impurities by ammonium hydrofluoride. Cette invention relève de la technologie de production de silicium semi-conducteur polycristallin à partir de concentrats naturels contenant du silicium. Cette invention permet de produire du silicium semi-conducteur polycristallin de haute pureté tout en réduisant sensiblement son prix de revient. Pour ce faire, il convient d'isoler le tétrafluorure de silicium par fluoration d'oxydes de silicium naturels sous forme de sable quartzeux ou de quartzite à l'aide d'un fluorure élémentaire récupéré; à effectuer une réduction électrolytique dudit tétrafluorure de silicium dans un bain eutectique de sels fluorés d'éléments alcalins; puis à éliminer par rinçage les sels de l'électrolyte ainsi que les impuretés à l'aide d'hydrofluorure d'ammonium.