SEMICONDUCTOR DEVICE

To present a semiconductor device capable of operating stably even at large current, by lessening current concentration into the corners of contact opening after switching off and suppressing local heat generation without raising the ON voltage. In an insulated gate transistor divided by P field region 111 and gate electrode 106, having N+ emitter region 104 and P+ emitter region 100, and controlling conduction between emitter and collector by voltage applied to gate electrode 106, the shape of contact opening 108 contacting emitter (N+ emitter region 104 and P+ emitter region 100) and emitter electrode is formed of curved lines at four corners. Hence, eliminating right-angle apex, hole current from the field region into the emitter electrode after switching off is prevented from concentrating at one point. L'invention concerne un procédé qui permet de mettre en oeuvre un dispositif à semi-conducteur pouvant fonctionner de manière stable, même avec un courant de forte intensité, en diminuant la concentration de courant dans les angles d'ouverture de contact, après arrêt et suppression de la production de chaleur locale, sans augmentation de la tension de mise en route. Dans un transistor à goulot isolé séparé par une zone de champ P (111) et une gâchette (106), présentant des zones d'émission N+ (104) et des zones d'émission P+ (100) et contrôlant la conduction entre l'émetteur et le collecteur par application d'une tension sur la gâchette (106), la forme de l'ouverture de contact (108) en contact avec l'émetteur (zones d'émission N+ (104) et zones d'émission P+ (100)) et de l'électrode émettrice est constituée de lignes courbes aux quatre angles. Ainsi, la suppression du pôle supérieur à angle droit empêche le courant de trou circulant de la zone de champ vers l'intérieur de l'électrode émettrice, après mise hors tension, de se concentrer sur un emplacement.