ELECTRONIC DEVICE, ASSEMBLY AND METHODS OF MANUFACTURING AN ELECTRONIC DEVICE
A semiconductor substrate comprises both vertical interconnects and vertical capacitors with a common dielectric layer. The substrate can be suitably combined with further devices to form an assembly. The substrate can be made in etching treatments including a first step on the one side, and then a...
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| Format: | Patent |
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| creator | ROOZEBOOM, FREDDY GAMAND, PATRICE KEMMEREN, ANTONIUS, L., A., M HUBERT, GERARDUS, T., M BUIJSMAN, ADRIANUS, A., J |
| description | A semiconductor substrate comprises both vertical interconnects and vertical capacitors with a common dielectric layer. The substrate can be suitably combined with further devices to form an assembly. The substrate can be made in etching treatments including a first step on the one side, and then a second step on the other side of the substrate.
Le substrat semi-conducteur décrit comprend des interconnexions verticales et des capacités verticales avec une couche diélectrique commune. Le substrat peut être associé de manière appropriée à d'autres dispositifs de façon à former un assemblage. Le substrat peut être produit par des opérations de gravure, y compris une première étape de gravure d'un côté suivie d'une deuxième étape de gravure de l'autre côté du substrat. |
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Le substrat semi-conducteur décrit comprend des interconnexions verticales et des capacités verticales avec une couche diélectrique commune. Le substrat peut être associé de manière appropriée à d'autres dispositifs de façon à former un assemblage. Le substrat peut être produit par des opérations de gravure, y compris une première étape de gravure d'un côté suivie d'une deuxième étape de gravure de l'autre côté du substrat.</description><edition>7</edition><language>eng ; fre</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>2004</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20041229&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2004114397A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,780,885,25564,76547</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20041229&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2004114397A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>ROOZEBOOM, FREDDY</creatorcontrib><creatorcontrib>GAMAND, PATRICE</creatorcontrib><creatorcontrib>KEMMEREN, ANTONIUS, L., A., M</creatorcontrib><creatorcontrib>HUBERT, GERARDUS, T., M</creatorcontrib><creatorcontrib>BUIJSMAN, ADRIANUS, A., J</creatorcontrib><title>ELECTRONIC DEVICE, ASSEMBLY AND METHODS OF MANUFACTURING AN ELECTRONIC DEVICE</title><description>A semiconductor substrate comprises both vertical interconnects and vertical capacitors with a common dielectric layer. The substrate can be suitably combined with further devices to form an assembly. The substrate can be made in etching treatments including a first step on the one side, and then a second step on the other side of the substrate.
Le substrat semi-conducteur décrit comprend des interconnexions verticales et des capacités verticales avec une couche diélectrique commune. Le substrat peut être associé de manière appropriée à d'autres dispositifs de façon à former un assemblage. Le substrat peut être produit par des opérations de gravure, y compris une première étape de gravure d'un côté suivie d'une deuxième étape de gravure de l'autre côté du substrat.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2004</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZPB19XF1Dgny9_N0VnBxDfN0dtVRcAwOdvV18olUcPRzUfB1DfHwdwlW8HdT8HX0C3VzdA4JDfL0cwdKKmDo5WFgTUvMKU7lhdLcDMpuriHOHrqpBfnxqcUFicmpeakl8eH-RgYGJoaGJsaW5o6GxsSpAgB8yC7d</recordid><startdate>20041229</startdate><enddate>20041229</enddate><creator>ROOZEBOOM, FREDDY</creator><creator>GAMAND, PATRICE</creator><creator>KEMMEREN, ANTONIUS, L., A., M</creator><creator>HUBERT, GERARDUS, T., M</creator><creator>BUIJSMAN, ADRIANUS, A., J</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20041229</creationdate><title>ELECTRONIC DEVICE, ASSEMBLY AND METHODS OF MANUFACTURING AN ELECTRONIC DEVICE</title><author>ROOZEBOOM, FREDDY ; GAMAND, PATRICE ; KEMMEREN, ANTONIUS, L., A., M ; HUBERT, GERARDUS, T., M ; BUIJSMAN, ADRIANUS, A., J</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_WO2004114397A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; fre</language><creationdate>2004</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>ROOZEBOOM, FREDDY</creatorcontrib><creatorcontrib>GAMAND, PATRICE</creatorcontrib><creatorcontrib>KEMMEREN, ANTONIUS, L., A., M</creatorcontrib><creatorcontrib>HUBERT, GERARDUS, T., M</creatorcontrib><creatorcontrib>BUIJSMAN, ADRIANUS, A., J</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>ROOZEBOOM, FREDDY</au><au>GAMAND, PATRICE</au><au>KEMMEREN, ANTONIUS, L., A., M</au><au>HUBERT, GERARDUS, T., M</au><au>BUIJSMAN, ADRIANUS, A., J</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>ELECTRONIC DEVICE, ASSEMBLY AND METHODS OF MANUFACTURING AN ELECTRONIC DEVICE</title><date>2004-12-29</date><risdate>2004</risdate><abstract>A semiconductor substrate comprises both vertical interconnects and vertical capacitors with a common dielectric layer. The substrate can be suitably combined with further devices to form an assembly. The substrate can be made in etching treatments including a first step on the one side, and then a second step on the other side of the substrate.
Le substrat semi-conducteur décrit comprend des interconnexions verticales et des capacités verticales avec une couche diélectrique commune. Le substrat peut être associé de manière appropriée à d'autres dispositifs de façon à former un assemblage. Le substrat peut être produit par des opérations de gravure, y compris une première étape de gravure d'un côté suivie d'une deuxième étape de gravure de l'autre côté du substrat.</abstract><edition>7</edition><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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