METHOD OF MANUFACTURING A DEVICE WITH A MAGNETIC LAYER-STRUCTURE

A method of manufacturing a device with a magnetic layer-structure is disclosed, the method comprising the steps of: - forming the magnetic layer-structure (2), - heating the magnetic layer-structure with an electric current, wherein the electric current is a pulse (3) having a duration such that no substantial heat transfer from the layer-structure to the environment (4) of the layer- structure takes place, so that the temperature of said environment before and after the current pulse is substantially the same. Heat is substantially dissipated in the layer-structure. The method therefore allows the selection of physical processes in the layer-structure in order to optimize the magnetic or electrical characteristic of the magnetoresistive device, without disturbing the environment such as neighboring devices. The method can advantageously be used to set different magnetization directions (9, 10) in the bias layers (5,7) of different magnetoresistive devices (12,13,14,15) arranged in a Wheatstone bridge configuration (16), or to reduce offset in the output characteristic of said Wheatstone bridge. Procédé de fabrication d'un dispositif à structure multicouche magnétique, consistant à former la structure multicouche magnétique (2), et à chauffer ladite structure à l'aide d'un courant électrique sous forme d'impulsion (3) dont la durée est telle qu'il ne se produit sensiblement aucun transfert de chaleur entre la structure multicouche et l'environnement (4), afin que la température dudit environnement demeure sensiblement constante avant et après l'impulsion de courant. La chaleur est sensiblement dissipée dans la structure multicouche. Par conséquent, le procédé prévoit de choisir les processus physiques au sein de la structure multicouche de manière à optimiser la caractéristique magnétique ou électrique du dispositif magnétorésistant, et ce sans perturbations de l'environnement et notamment des dispositifs voisins. Le procédé permet avantageusement de régler différentes directions d'aimantation (9, 10) dans les couches de polarisation (5, 7) de différents dispositifs magnétorésistants (12, 13, 14, 15) agencés selon une configuration du type pont de Wheatstone (16), ou de réduire le décalage dans la caractéristique de sortie dudit pont de Wheatstone.