BOTTOM ANTI-REFLECTIVE COATING COMPOSITIONS COMPRISING SILICON CONTAINING POLYMERS TO IMPROVE ADHESION TOWARDS PHOTORESISTS
New anti-reflective compositions for use in 193 nm applications are provided. The compositions comprise a polymer having recurring silane monomers. The inventive compositions can be applied to substrates (e.g., silicon wafers) to form antireflective coating layers having improved adhesion ofphotore...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; fre |
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Zusammenfassung: | New anti-reflective compositions for use in 193 nm applications are provided. The compositions comprise a polymer having recurring silane monomers. The inventive compositions can be applied to substrates (e.g., silicon wafers) to form antireflective coating layers having improved adhesion ofphotoresists to the anti-reflective coating layer, thereby reducing or preventing the occurrence of photoresist pattern collapse typically seen in feature sizes of 100 nm or smaller.
L'invention concerne de nouvelles compositions anti-réfléchissantes destinées à être utilisées en applications de 193 nm. Lesdites compositions comprennent un polymère présentant des monomères de silane récurrents. Les compositions selon l'invention peuvent être appliquées sur des substrats (par exemple, sur des plaquettes de silicium) afin de former des couches de revêtement anti-réfléchissantes présentant une adhérence améliorée de résines photosensibles sur la couche de revêtement anti-réfléchissante, ce qui réduit ou empêche ainsi l'apparition d'un effondrement de motifs de résine photosensible se produisant généralement dans des largeurs de traits inférieurs ou égaux à 100 nm. |
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