SEMICONDUCTOR DIE PACKAGE WITH INCREASED THERMAL CONDUCTION

In one exemplary embodiment, a structure comprises a substrate having a core, a top surface and a bottom surface. A substrate die pad is situated on the top surface of the substrate and is capable of receiving a die, and a heat spreader is situated on the bottom surface of the substrate. The substrate further comprises a first metal cap, at least one buried via, and a second metal cap. The first metal cap is situated below and is thermally coupled to the substrate die pad. The at least one buried via is situated below the first metal cap within the core of the substrate. The second metal cap is situated below the at least one buried via and is thermally coupled to the second metal cap. Dans un mode de réalisation de l'invention, une structure comprend un substrat présentant une âme, une surface supérieure et un fond. Une plaquette en forme de dé d'un substrat est situé sur la surface supérieure du substrat et elle est capable de recevoir un dé, et un dissipateur thermique est situé sur le fond du substrat. Ledit substrat comprend, de plus, un premier couvercle en métal, au moins un trou enterré, et un second couvercle. Le premier couvercle en métal est situé en dessous et il est couplé thermiquement à la plaquette en forme de dé du substrat. Ledit trou enterré est situé en dessous du premier couvercle à l'intérieur de l'âme du substrat. Le second couvercle en métal est situé en dessous du trou enterré et il est couplé thermiquement au second couvercle en métal.