GAPFILL PROCESS USING A COMBINATION OF SPIN-ON-GLASS DEPOSITION AND CHEMICAL VAPOR DEPOSITION TECHNIQUES

A method of filling a plurality of trenches etched in a substrate. In one embodiment the method includes depositing a layer of spin-on glass material over the substrate and into the plurality of trenches; exposing the layer of spin-on glass material to a solvent; curing the layer of spin-on glass ma...

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	ZHAO, JUN, ROBERTS, RICK, J, COX, MICHAEL, S, CUI, ZHENJIANG
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:	A method of filling a plurality of trenches etched in a substrate. In one embodiment the method includes depositing a layer of spin-on glass material over the substrate and into the plurality of trenches; exposing the layer of spin-on glass material to a solvent; curing the layer of spin-on glass material; and depositing a layer of silica glass over the cured spin-on glass layer using a chemical vapor deposition technique. L'invention concerne un procédé de remplissage d'une pluralité de tranchées gravées dans un substrat. Dans un mode de réalisation, le procédé consiste à déposer une couche de matériau en verre déposé par rotation sur le substrat et dans la pluralité de tranchées ; à exposer la couche de matériau en verre déposé par rotation à un solvant ; à durcir la couche de matériau en verre déposé par rotation ; et à déposer une couche de verre de silice sur la couche de verre déposé par rotation durcie au moyen d'une technique de dépôt chimique en phase vapeur.