SEMI-CONDUCTOR COMPONENT AND METHOD FOR THE PRODUCTION OF A SEMI-CONDUCTOR COMPONENT
Halbleiterbauelement und Verfahren zum Herstellen eines solchen Halbleiterbauelements. Das Halbleiterbauelement umfasst ein Substrat (3), auf dem ein oder mehrere Halbleiterchips (1, 2) angeordnet and kontaktiert sind. Auf einer isolierenden Maskierung (8), die Durchgangsöffnungen (12) zu Anschlusss...
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| Hauptverfasser: | , |
|---|---|
| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; fre ; ger |
| Schlagworte: | |
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| creator | MAUDER, ANTON GUTSMANN, BERND |
| description | Halbleiterbauelement und Verfahren zum Herstellen eines solchen Halbleiterbauelements. Das Halbleiterbauelement umfasst ein Substrat (3), auf dem ein oder mehrere Halbleiterchips (1, 2) angeordnet and kontaktiert sind. Auf einer isolierenden Maskierung (8), die Durchgangsöffnungen (12) zu Anschlussstellen (19) auf dem Substrat und/oder der Halbleiterchips (1) aufweist, ist eine strukturierte Leiterschicht aufgebracht, die sich durch die Durchgangsöffnungen (12) zu den Anschlussstellen (19) erstreckende integrale Fortsätze aufweist.
The invention relates to a semi-conductor component and to a method for the production thereof. The semi-conductor component comprises a substrate (3) whereon one or several semi-conductor chips (1, 2) are arranged and contacted. A structured conductor layer is applied to an insulating masking element (8) comprising through-openings (12) extending to connection points (19) on the substrate and/or semi-conductor chip (1). The conductor layer comprises integral projections extending through the through-openings (12) to the connection points (19).
L'invention concerne un composant à semiconducteurs et un procédé de fabrication d'un tel composant à semiconducteurs. Ledit composant à semiconducteurs comporte un substrat (3) sur lequel une ou plusieurs puces à semiconducteurs (1, 2) sont disposées et mises en contact. Un masque isolant (8) comportant des ouvertures de passage (12) vers des zones de connexion (19) du substrat et/ou des puces à semiconducteurs (1), présente une couche conductrice structurée pourvue de saillies intégrales s'étendant vers les zone de connexion (19), au travers des ouvertures de passage (12). |
| format | Patent |
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The invention relates to a semi-conductor component and to a method for the production thereof. The semi-conductor component comprises a substrate (3) whereon one or several semi-conductor chips (1, 2) are arranged and contacted. A structured conductor layer is applied to an insulating masking element (8) comprising through-openings (12) extending to connection points (19) on the substrate and/or semi-conductor chip (1). The conductor layer comprises integral projections extending through the through-openings (12) to the connection points (19).
L'invention concerne un composant à semiconducteurs et un procédé de fabrication d'un tel composant à semiconducteurs. Ledit composant à semiconducteurs comporte un substrat (3) sur lequel une ou plusieurs puces à semiconducteurs (1, 2) sont disposées et mises en contact. Un masque isolant (8) comportant des ouvertures de passage (12) vers des zones de connexion (19) du substrat et/ou des puces à semiconducteurs (1), présente une couche conductrice structurée pourvue de saillies intégrales s'étendant vers les zone de connexion (19), au travers des ouvertures de passage (12).</description><edition>7</edition><language>eng ; fre ; ger</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>2004</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20041118&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2004100259A2$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,780,885,25564,76547</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20041118&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2004100259A2$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>MAUDER, ANTON</creatorcontrib><creatorcontrib>GUTSMANN, BERND</creatorcontrib><title>SEMI-CONDUCTOR COMPONENT AND METHOD FOR THE PRODUCTION OF A SEMI-CONDUCTOR COMPONENT</title><description>Halbleiterbauelement und Verfahren zum Herstellen eines solchen Halbleiterbauelements. Das Halbleiterbauelement umfasst ein Substrat (3), auf dem ein oder mehrere Halbleiterchips (1, 2) angeordnet and kontaktiert sind. Auf einer isolierenden Maskierung (8), die Durchgangsöffnungen (12) zu Anschlussstellen (19) auf dem Substrat und/oder der Halbleiterchips (1) aufweist, ist eine strukturierte Leiterschicht aufgebracht, die sich durch die Durchgangsöffnungen (12) zu den Anschlussstellen (19) erstreckende integrale Fortsätze aufweist.
The invention relates to a semi-conductor component and to a method for the production thereof. The semi-conductor component comprises a substrate (3) whereon one or several semi-conductor chips (1, 2) are arranged and contacted. A structured conductor layer is applied to an insulating masking element (8) comprising through-openings (12) extending to connection points (19) on the substrate and/or semi-conductor chip (1). The conductor layer comprises integral projections extending through the through-openings (12) to the connection points (19).
L'invention concerne un composant à semiconducteurs et un procédé de fabrication d'un tel composant à semiconducteurs. Ledit composant à semiconducteurs comporte un substrat (3) sur lequel une ou plusieurs puces à semiconducteurs (1, 2) sont disposées et mises en contact. Un masque isolant (8) comportant des ouvertures de passage (12) vers des zones de connexion (19) du substrat et/ou des puces à semiconducteurs (1), présente une couche conductrice structurée pourvue de saillies intégrales s'étendant vers les zone de connexion (19), au travers des ouvertures de passage (12).</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2004</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZAgJdvX11HX293MJdQ7xD1Jw9vcN8Pdz9QtRcPRzUfB1DfHwd1FwA0qEeLgqBAT5g5R5-vsp-LspOCrg0svDwJqWmFOcyguluRmU3VxDnD10Uwvy41OLCxKTU_NSS-LD_Y0MDEwMDQyMTC0djYyJUwUA9l8xEg</recordid><startdate>20041118</startdate><enddate>20041118</enddate><creator>MAUDER, ANTON</creator><creator>GUTSMANN, BERND</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20041118</creationdate><title>SEMI-CONDUCTOR COMPONENT AND METHOD FOR THE PRODUCTION OF A SEMI-CONDUCTOR COMPONENT</title><author>MAUDER, ANTON ; GUTSMANN, BERND</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_WO2004100259A23</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; fre ; ger</language><creationdate>2004</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>MAUDER, ANTON</creatorcontrib><creatorcontrib>GUTSMANN, BERND</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>MAUDER, ANTON</au><au>GUTSMANN, BERND</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>SEMI-CONDUCTOR COMPONENT AND METHOD FOR THE PRODUCTION OF A SEMI-CONDUCTOR COMPONENT</title><date>2004-11-18</date><risdate>2004</risdate><abstract>Halbleiterbauelement und Verfahren zum Herstellen eines solchen Halbleiterbauelements. Das Halbleiterbauelement umfasst ein Substrat (3), auf dem ein oder mehrere Halbleiterchips (1, 2) angeordnet and kontaktiert sind. Auf einer isolierenden Maskierung (8), die Durchgangsöffnungen (12) zu Anschlussstellen (19) auf dem Substrat und/oder der Halbleiterchips (1) aufweist, ist eine strukturierte Leiterschicht aufgebracht, die sich durch die Durchgangsöffnungen (12) zu den Anschlussstellen (19) erstreckende integrale Fortsätze aufweist.
The invention relates to a semi-conductor component and to a method for the production thereof. The semi-conductor component comprises a substrate (3) whereon one or several semi-conductor chips (1, 2) are arranged and contacted. A structured conductor layer is applied to an insulating masking element (8) comprising through-openings (12) extending to connection points (19) on the substrate and/or semi-conductor chip (1). The conductor layer comprises integral projections extending through the through-openings (12) to the connection points (19).
L'invention concerne un composant à semiconducteurs et un procédé de fabrication d'un tel composant à semiconducteurs. Ledit composant à semiconducteurs comporte un substrat (3) sur lequel une ou plusieurs puces à semiconducteurs (1, 2) sont disposées et mises en contact. Un masque isolant (8) comportant des ouvertures de passage (12) vers des zones de connexion (19) du substrat et/ou des puces à semiconducteurs (1), présente une couche conductrice structurée pourvue de saillies intégrales s'étendant vers les zone de connexion (19), au travers des ouvertures de passage (12).</abstract><edition>7</edition><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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