SEMI-CONDUCTOR COMPONENT AND METHOD FOR THE PRODUCTION OF A SEMI-CONDUCTOR COMPONENT

Halbleiterbauelement und Verfahren zum Herstellen eines solchen Halbleiterbauelements. Das Halbleiterbauelement umfasst ein Substrat (3), auf dem ein oder mehrere Halbleiterchips (1, 2) angeordnet and kontaktiert sind. Auf einer isolierenden Maskierung (8), die Durchgangsöffnungen (12) zu Anschlusss...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: MAUDER, ANTON, GUTSMANN, BERND
Format: Patent
Sprache:eng ; fre ; ger
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:Halbleiterbauelement und Verfahren zum Herstellen eines solchen Halbleiterbauelements. Das Halbleiterbauelement umfasst ein Substrat (3), auf dem ein oder mehrere Halbleiterchips (1, 2) angeordnet and kontaktiert sind. Auf einer isolierenden Maskierung (8), die Durchgangsöffnungen (12) zu Anschlussstellen (19) auf dem Substrat und/oder der Halbleiterchips (1) aufweist, ist eine strukturierte Leiterschicht aufgebracht, die sich durch die Durchgangsöffnungen (12) zu den Anschlussstellen (19) erstreckende integrale Fortsätze aufweist. The invention relates to a semi-conductor component and to a method for the production thereof. The semi-conductor component comprises a substrate (3) whereon one or several semi-conductor chips (1, 2) are arranged and contacted. A structured conductor layer is applied to an insulating masking element (8) comprising through-openings (12) extending to connection points (19) on the substrate and/or semi-conductor chip (1). The conductor layer comprises integral projections extending through the through-openings (12) to the connection points (19). L'invention concerne un composant à semiconducteurs et un procédé de fabrication d'un tel composant à semiconducteurs. Ledit composant à semiconducteurs comporte un substrat (3) sur lequel une ou plusieurs puces à semiconducteurs (1, 2) sont disposées et mises en contact. Un masque isolant (8) comportant des ouvertures de passage (12) vers des zones de connexion (19) du substrat et/ou des puces à semiconducteurs (1), présente une couche conductrice structurée pourvue de saillies intégrales s'étendant vers les zone de connexion (19), au travers des ouvertures de passage (12).