PRODUCTION METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE

A production method for a semiconductor device capable of restricting boron ion-implanted into a gate electrode from penetrating through a gate insulation film and the mobility of a channel region from lowering. The production method for a semiconductor device comprises the step of forming a gate insulation layer on the active region of a semiconductor substrate, the step of introducing nitrogen from the surface of the gate insulation layer in the form of active nitrogen, and the annealing step of enabling a nitrogen concentration distribution in a nitrogen-introduced gate insulation layer to be kept high on the front surface side and low on the interface with the semiconductor substrate. L'invention porte sur un procédé de production d'un dispositif à semi-conducteurs capable de limiter par implantation ionique du bore dans une électrode de grille la pénétration par un film d'isolation de grille et de réduire la mobilité d'une région de canal. Le procédé de production de ce du dispositif à semi-conducteurs consiste à former une couche d'isolation de grille sur la région active d'un substrat à semi-conducteurs, introduire de l'azote par la surface de la couche d'isolation de grille sous forme d'azote actif et recuire pour permettre la distribution de la concentration de l'azote dans une couche d'isolation de grille par laquelle a été introduit l'azote, cette couche devant être maintenue à une certaine hauteur sur la face de la surface avant et basse sur l'interface avec le substrat à semi-conducteurs.