METHOD FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR COMPONENT HAVING A BARRIER-LINED OPENING

A semiconductor component (10) having a metallization system that includes a thin conformal multi­layer barrier structure (60) and a method for manufacturing the semiconductor component (10). A layer of dielectric material (30, 34) is formed over a lower level interconnect. A hardmask (36) is formed over the dielectric layer (30, 34) and an opening (50, 52, 54) is etched through the hardmask (36) into the dielectric layer (30, 34). The opening (50, 52, 54) is lined with a thin conformal multi-layer barrier (60) using atomic layer deposition. The multi-layer barrier lined opening is filled with an electrically conductive material (66) which is planarized. L'invention concerne un composant à semi-conducteur (10), qui comprend un système de métallisation présentant une structure barrière multicouche mince conforme (60); et un procédé de fabrication du composant à semi-conducteur (10). Une couche de matériau diélectrique (30, 34) est formée sur une interconnexion de niveau inférieur. Un masque dur (36) est formé sur la couche diélectrique (30, 34) et une ouverture (50, 52, 54) est ménagée par gravure, au travers du masque dur (36), à l'intérieur de la couche diélectrique (30, 34). L'ouverture (50, 52, 54) est doublée d'une barrière multicouche mince conforme (60) par dépôt d'une couche atomique. L'ouverture doublée d'une barrière multicouche est remplie d'un matériau électroconducteur (66) planarisé.