ECR-PLASMA SOURCE AND METHODS FOR TREATMENT OF SEMICONDUCTOR STRUCTURES

The invention relates to microelectronics, more particularly, to methods of manufacturing solid-state devices and integrated circuits utilizing microwave plasma enhancement under conditions of electron cyclotron resonance (ECR), as well as to use of plasma treatment technology in manufacturing of different semiconductor structures. Also proposed are semiconductor device and integrated circuit and methods for their manufacturing. Technical result consists in improvement of reproducibility parameters of semiconductor structures and devices processed, enhancement of devices parameters, elimination of possibility of defects formation in different regions, and speeding-up of the treatment process. L'invention appartient au domaine de la micro-électronique et concerne notamment des procédés pour fabriquer des dispositifs à l'état solide et des circuits intégrés en utilisant le traitement d'amélioration au plasma dans des conditions de résonance cyclotronique d'électrons (ECR), ainsi que l'utilisation d'une technologie de traitement au plasma dans la fabrication de différentes structures semi-conductrices. L'invention concerne aussi un dispositif semi-conducteur, un circuit intégré et un procédé de fabrication correspondant. Elle permet d'améliorer les paramètres de reproductibilité des structures semi-conductrices et dispositifs traités et les paramètres des dispositifs, d'éliminer le risque d'apparition de défauts dans différentes régions, et d'accélérer le processus de traitement.