FERROMAGNETIC MATERIAL
Method for producing a doped dilute ferromagnetic semiconductor material, by doping Zinc Oxide in bulk form with Manganese to a maximum level of 5 atomic percent concentration. The material is preferably sintered at a maximum temperature of 650 °C. The result of this process is a semiconductor mater...
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| Format: | Patent |
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| creator | JOHANSSON, BOERJE SHARMA, PARMANAND RAO, KUDUMBOOR VENKAT AHUJA, RAJEEV |
| description | Method for producing a doped dilute ferromagnetic semiconductor material, by doping Zinc Oxide in bulk form with Manganese to a maximum level of 5 atomic percent concentration. The material is preferably sintered at a maximum temperature of 650 °C. The result of this process is a semiconductor material comprising Mn-doped ZnO with a Mn concentration not exceeding 5 at%, wherein said Mn-doped ZnO is ferromagnetic within at least a part of the temperature range from about 218 Kelvin to about 425 Kelvin.
L'invention concerne un procédé de production d'un matériau semi-conducteur dilué dopé, consistant à doper de l'oxyde de zinc en vrac avec du manganèse jusqu'à une concentration maximale de 5 % at. Ce matériau est de préférence fritté à une température maximale de 650 DEG C. Ce procédé permet d'obtenir un matériau semi-conducteur comprenant de l'oxyde de zinc dopé au manganèse avec une concentration en manganèse n'excédant pas 5 % at., ledit oxyde de zinc dopé au manganèse étant ferromagnétique à l'intérieur d'au moins une partie de la plage de température comprise entre environ 218 kelvins et environ 425 kelvins. |
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L'invention concerne un procédé de production d'un matériau semi-conducteur dilué dopé, consistant à doper de l'oxyde de zinc en vrac avec du manganèse jusqu'à une concentration maximale de 5 % at. Ce matériau est de préférence fritté à une température maximale de 650 DEG C. Ce procédé permet d'obtenir un matériau semi-conducteur comprenant de l'oxyde de zinc dopé au manganèse avec une concentration en manganèse n'excédant pas 5 % at., ledit oxyde de zinc dopé au manganèse étant ferromagnétique à l'intérieur d'au moins une partie de la plage de température comprise entre environ 218 kelvins et environ 425 kelvins.</description><edition>7</edition><language>eng ; fre</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRICITY ; INDUCTANCES ; MAGNETS ; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES ; TRANSFORMERS</subject><creationdate>2004</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20040819&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2004069767A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,780,885,25564,76547</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20040819&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2004069767A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>JOHANSSON, BOERJE</creatorcontrib><creatorcontrib>SHARMA, PARMANAND</creatorcontrib><creatorcontrib>RAO, KUDUMBOOR VENKAT</creatorcontrib><creatorcontrib>AHUJA, RAJEEV</creatorcontrib><title>FERROMAGNETIC MATERIAL</title><description>Method for producing a doped dilute ferromagnetic semiconductor material, by doping Zinc Oxide in bulk form with Manganese to a maximum level of 5 atomic percent concentration. The material is preferably sintered at a maximum temperature of 650 °C. The result of this process is a semiconductor material comprising Mn-doped ZnO with a Mn concentration not exceeding 5 at%, wherein said Mn-doped ZnO is ferromagnetic within at least a part of the temperature range from about 218 Kelvin to about 425 Kelvin.
L'invention concerne un procédé de production d'un matériau semi-conducteur dilué dopé, consistant à doper de l'oxyde de zinc en vrac avec du manganèse jusqu'à une concentration maximale de 5 % at. Ce matériau est de préférence fritté à une température maximale de 650 DEG C. Ce procédé permet d'obtenir un matériau semi-conducteur comprenant de l'oxyde de zinc dopé au manganèse avec une concentration en manganèse n'excédant pas 5 % at., ledit oxyde de zinc dopé au manganèse étant ferromagnétique à l'intérieur d'au moins une partie de la plage de température comprise entre environ 218 kelvins et environ 425 kelvins.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>INDUCTANCES</subject><subject>MAGNETS</subject><subject>SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES</subject><subject>TRANSFORMERS</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2004</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZBBzcw0K8vd1dPdzDfF0VvB1DHEN8nT04WFgTUvMKU7lhdLcDMpuriHOHrqpBfnxqcUFicmpeakl8eH-RgYGJgZmluZm5o6GxsSpAgA6zyA0</recordid><startdate>20040819</startdate><enddate>20040819</enddate><creator>JOHANSSON, BOERJE</creator><creator>SHARMA, PARMANAND</creator><creator>RAO, KUDUMBOOR VENKAT</creator><creator>AHUJA, RAJEEV</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20040819</creationdate><title>FERROMAGNETIC MATERIAL</title><author>JOHANSSON, BOERJE ; SHARMA, PARMANAND ; RAO, KUDUMBOOR VENKAT ; AHUJA, RAJEEV</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_WO2004069767A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; fre</language><creationdate>2004</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>INDUCTANCES</topic><topic>MAGNETS</topic><topic>SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES</topic><topic>TRANSFORMERS</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>JOHANSSON, BOERJE</creatorcontrib><creatorcontrib>SHARMA, PARMANAND</creatorcontrib><creatorcontrib>RAO, KUDUMBOOR VENKAT</creatorcontrib><creatorcontrib>AHUJA, RAJEEV</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>JOHANSSON, BOERJE</au><au>SHARMA, PARMANAND</au><au>RAO, KUDUMBOOR VENKAT</au><au>AHUJA, RAJEEV</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>FERROMAGNETIC MATERIAL</title><date>2004-08-19</date><risdate>2004</risdate><abstract>Method for producing a doped dilute ferromagnetic semiconductor material, by doping Zinc Oxide in bulk form with Manganese to a maximum level of 5 atomic percent concentration. The material is preferably sintered at a maximum temperature of 650 °C. The result of this process is a semiconductor material comprising Mn-doped ZnO with a Mn concentration not exceeding 5 at%, wherein said Mn-doped ZnO is ferromagnetic within at least a part of the temperature range from about 218 Kelvin to about 425 Kelvin.
L'invention concerne un procédé de production d'un matériau semi-conducteur dilué dopé, consistant à doper de l'oxyde de zinc en vrac avec du manganèse jusqu'à une concentration maximale de 5 % at. Ce matériau est de préférence fritté à une température maximale de 650 DEG C. Ce procédé permet d'obtenir un matériau semi-conducteur comprenant de l'oxyde de zinc dopé au manganèse avec une concentration en manganèse n'excédant pas 5 % at., ledit oxyde de zinc dopé au manganèse étant ferromagnétique à l'intérieur d'au moins une partie de la plage de température comprise entre environ 218 kelvins et environ 425 kelvins.</abstract><edition>7</edition><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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