FERROMAGNETIC MATERIAL

Method for producing a doped dilute ferromagnetic semiconductor material, by doping Zinc Oxide in bulk form with Manganese to a maximum level of 5 atomic percent concentration. The material is preferably sintered at a maximum temperature of 650 °C. The result of this process is a semiconductor material comprising Mn-doped ZnO with a Mn concentration not exceeding 5 at%, wherein said Mn-doped ZnO is ferromagnetic within at least a part of the temperature range from about 218 Kelvin to about 425 Kelvin. L'invention concerne un procédé de production d'un matériau semi-conducteur dilué dopé, consistant à doper de l'oxyde de zinc en vrac avec du manganèse jusqu'à une concentration maximale de 5 % at. Ce matériau est de préférence fritté à une température maximale de 650 DEG C. Ce procédé permet d'obtenir un matériau semi-conducteur comprenant de l'oxyde de zinc dopé au manganèse avec une concentration en manganèse n'excédant pas 5 % at., ledit oxyde de zinc dopé au manganèse étant ferromagnétique à l'intérieur d'au moins une partie de la plage de température comprise entre environ 218 kelvins et environ 425 kelvins.