PACKAGED IC USING INSULATED WIRE

A packaged IC (110) including insulated wire (120) for electrically connecting conductive structures of the packaged IC. In some embodiments, the packaged IC includes an IC die (114) attached to a package substrate (112), where bond pads (118) of the IC die are electrically connected to bond fingers (116) of the substrate with insulated wire. The insulated wire has a conductive core (306) and an insulator coating (304). In some examples, the insulator coating includes an inorganic covalently-bonded substance that is not an oxide of the electrically conductive core such as, e.g., silicon nitride or silicon oxide. In one example, the insulator coating is applied to a conductive core by a chemical vapor deposition (CVD) process such as a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD). L'invention concerne un circuit intégré (110) mis sous boîtier, comprenant un fil isolé (120) destiné à connecter électriquement les structures conductrices du circuit intégré mis sous boîtier. Dans certains modes de réalisation, le circuit intégré mis sous boîtier comprend une puce (114) fixée au substrat (112) d'un boîtier, les plots (118) de connexion de la puce étant électriquement connectés aux doigts (116) de connexion du substrat à l'aide du fil isolé. Le fil isolé comprend un noyau conducteur (306) et un revêtement isolant (304). Dans certains exemples, le revêtement isolant comprend une substance inorganique liée par covalence n'étant pas constituée d'un oxyde du noyau électroconducteur comme, par exemple, le nitrure de silicium ou l'oxyde de silicium. Dans un exemple, le revêtement isolant est appliqué sur un noyau conducteur par un procédé de dépôt chimique en phase vapeur (CVD), par exemple un procédé de dépôt chimique en phase vapeur au plasma (PECVD).