METHOD FOR REDUCING CONTACT DEFECTS IN SEMICONDUCTOR CELLS

A method and system for providing at least One contact in a semiconductor device is described. The semiconductor device includes a substrate (201), an etch stop layer (240), an interlayer dielectric (250) on the etch stop layer (240), an anti-reflective coating (ARC) layer (260) on the interlayer dielectric (250), and at least one feature below the etch stop layer (240). A resist mask having an aperture and residing on the ARC layer (260) is provided. The aperture is above an exposed portion of the ARC layer (260). The method and system include etching the exposed ARC layer (260) and the underlying interlayer dielectric (250) without etching through the etch stop layer (240), thereby providing a portion of at least one contact hole. The method and system also include removing the resist mask in situ, removing a portion of the etch stop layer (240) exposed in the portion of the contact hole, and filling the contact hole with a conductive material. La présente invention a trait à un procédé et un système permettant la réalisation d'au moins un contact dans un dispositif à semi-conducteur. Le dispositif à semi-conducteur comporte un substrat (201), une couche d'arrêt de gravure (240), une couche diélectrique intermédiaire (250) sur la couche d'arrêt de gravure (240), une couche de revêtement antireflet (260) sur la couche diélectrique intermédiaire (250), et au moins un élément au-dessous de la couche d'arrêt de gravure (240). Un masque de réserve présentant une ouverture et se trouvant sur la couche de revêtement antireflet (260) est prévu. Le procédé et le système comprennent la gravure de la couche exposée de revêtement antireflet (260) et la couche diélectrique intermédiaire sous-jacente (250) sans effectuer une gravure à travers la couche d'arrêt de gravure (240), permettant ainsi la réalisation d'une portion d'au moins une fenêtre de contact. Le procédé et le système comprennent également l'élimination du masque de réserve in situ, l'élimination d'une portion de la couche d'arrêt de gravure (240) exposée dans la portion de la fenêtre de contact, et le remplissage de la fenêtre de contact avec un matériau conducteur.