IMPROVED LARGE AREA SOURCE FOR UNIFORM ELECTRON BEAM GENERATION
An electron beam apparatus that includes a vacuum chamber, a large-area cathode disposed in the vacuum chamber, and a first power supply connected to the cathode. The first power supply is configured to apply a negative voltage to the cathode sufficient to cause the cathode to emit electrons toward...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; fre |
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Zusammenfassung: | An electron beam apparatus that includes a vacuum chamber, a large-area cathode disposed in the vacuum chamber, and a first power supply connected to the cathode. The first power supply is configured to apply a negative voltage to the cathode sufficient to cause the cathode to emit electrons toward a substrate disposed in the vacuum chamber. The electron beam apparatus further includes an anode positioned between the large-area cathode and the substrate. The anode is made from aluminum. The electron beam apparatus further includes a second power supply connected to the anode, wherein the second power supply is configured to apply a voltage to the anode that is positive relative to the voltage applied to the cathode.
L'invention porte sur un générateur de faisceau d'électrons comportant une chambre à vide, une cathode à large surface placée dans la chambre à vide, et une première alimentation reliée à la cathode et lui appliquant une tension négative suffisante pour lui faire émettre des électrons en direction d'un substrat placé dans la chambre à vide. Le générateur de faisceau d'électrons comporte en outre une anode en aluminium placée entre la cathode à large surface et le substrat, ainsi qu'une deuxième alimentation reliée à l'anode et configurée pour lui appliquer une tension positive par rapport à celle appliquée à la cathode. |
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