METHOD AND APPARATUS FOR OVERLAY CONTROL USING MULTIPLE TARGETS

A method includes measuring a first overlay error between a first process layer (360) and a second process layer (340) using a first overlay target (330) formed on the second process layer (340). A second overlay error between the first process layer (360) and a third process layer (320) is measured...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	EDWARDS, RICHARD, D, BODE, CHRISTOPHER, A, JONES, GARY, K
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre
Schlagworte:	APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR BASIC ELECTRIC ELEMENTS CINEMATOGRAPHY ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY ELECTROGRAPHY HOLOGRAPHY MATERIALS THEREFOR ORIGINALS THEREFOR PHOTOGRAPHY PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES PHYSICS SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:	A method includes measuring a first overlay error between a first process layer (360) and a second process layer (340) using a first overlay target (330) formed on the second process layer (340). A second overlay error between the first process layer (360) and a third process layer (320) is measured using a second overlay target (310) formed on the third process layer (360). At least one parameter of an operating recipe for performing a photolithography process on the first process layer (360) is determined based on the first and second overlay error measurements. A system (200) includes a metrology tool (230) and a controller (240). The metrology tool (230) is configured to measure a first overlay error between a first process layer (360) and a second process layer (340) using a first overlay target (330) formed on the second process layer (340) and measure a second overlay error between the first process layer (360) and a third process layer (320) using a second overlay target (310) formed on the third process layer (360). The controller (240) is configured to determine at least one parameter of an operating recipe for performing a photolithography process on the first process layer (360) based on the first and second overlay error measurements. L'invention concerne un procédé consistant à mesurer une première erreur de désalignement entre une première couche de traitement (360) et une deuxième couche de traitement (340) à l'aide d'une première cible de recouvrement (330) formée sur la deuxième couche de traitement (340), puis à mesurer une seconde erreur de désalignement entre la première couche de traitement (360) et une troisième couche de traitement (320) à l'aide d'une seconde cible de recouvrement (310) formée sur la troisième couche de traitement (360). Le procédé consiste ensuite à déterminer au moins un paramètre d'un mode opératoire permettant de réaliser un traitement photolithographique sur la première couche de traitement (360) sur la base des mesures de la première et de la seconde erreur de désalignement. L'invention concerne également un système (200) comprenant un outil de métrologie (230) et un contrôleur (240). L'outil de métrologie (230) est conçu pour mesurer une première erreur de désalignement entre une première couche de traitement (360) et une deuxième couche de traitement (340) à l'aide d'une première cible de recouvrement (330) formée sur la deuxième couche de traitement (340) et pour mesurer une seconde erreur de désalignement