DEVICE AND METHOD FOR DETECTING STRESS MIGRATION PROPERTIES

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein Verfahren zur Erfassung von Stressmigrations-Eigenschaften eines in einem produktrelevanten Gehäuse (G) endmontierten Halbleiter-Bausteins (IC) mit einer Stressmigrations-Teststruktur (SMT), die im Halbleiter-Baustein (IC) ausgebildet ist. Zur Erhöhung...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	VON GLASOW, ALEXANDER, VON HAGEN, JOCHEN, FISCHER, ARMIN
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre ; ger
Schlagworte:	MEASURING MEASURING ELECTRIC VARIABLES MEASURING MAGNETIC VARIABLES PHYSICS TESTING
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