DEVICE AND METHOD FOR DETECTING STRESS MIGRATION PROPERTIES

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein Verfahren zur Erfassung von Stressmigrations-Eigenschaften eines in einem produktrelevanten Gehäuse (G) endmontierten Halbleiter-Bausteins (IC) mit einer Stressmigrations-Teststruktur (SMT), die im Halbleiter-Baustein (IC) ausgebildet ist. Zur Erhöhung einer Erfassungsgenauigkeit auch einer durch das Gehäuse (G) verursachten Beanspruchung sigmaG ist innerhalb oder in unmittelbarer Nähe der Stressmigrations-Teststruktur (SMT) eine integrierte Heizvorrichtung (IH) ausgebildet. The invention relates to a device and a method for detecting stress migration properties of a semiconductor module (IC), which is terminally mounted in a product-relevant housing (G), with a stress migration test structure (SMT) which is embodied inside the semiconductor module (IC). An integrated heating device (IH) is embodied inside or in the direct vicinity of the stress migration test structure (SMT) in order to increase accuracy even when detecting stress SG caused by the housing. La présente invention concerne un dispositif et un procédé pour détecter des propriétés de migration de contraintes d'un composant semi-conducteur (IC) monté à l'extrémité d'un boîtier (G) correspondant, une structure d'essai de migration de contraintes (SMT) étant formée dans le composant semi-conducteur (IC). Afin d'augmenter la précision de détection même dans le cas d'une contrainte sigma G produite par le boîtier (G), un dispositif chauffant (IH) intégré se trouve à l'intérieur ou dans la proximité immédiate de la structure d'essai de migration de contraintes (SMT).