SPATIALLY MODULATED PHOTODETECTORS

A photodetector includes a first conductivity type semiconductor material (e.g., a p-type material) and one or more regions of semiconductor material of a second conductivity type (e.g., regions of n-type material), each forming a pn junction with the first conductivity type semiconductor material. The one or more regions collectively have a first layout area. One or more further regions of semiconductor material of the second conductivity type (e.g., further regions of n-type material) each form a pn junction with the first conductivity type semiconductor material. The one or more further regions collectively having a second layout area. A light blocking material covers the one or more further regions. The first layout area is greater than the second layout area. L'invention concerne un photodétecteur qui comprend un matériau semi-conducteur d'un premier type de conductivité (par exemple, un matériau de type p) et une ou plusieurs régions de matériau semi-conducteur d'un deuxième type de conductivité (par exemple, régions de matériau de type n), formant chacune une jonction pn avec le matériau semi-conducteur du premier type de conductivité. La ou les régions possèdent collectivement une première zone d'implantation. Une ou plusieurs autres régions de matériau semi-conducteur du deuxième type de conductivité (par exemple, autres régions de matériau de type n) forment chacune une jonction pn avec le matériau semi-conducteur du premier type de conductivité, ces autres régions possédant collectivement une deuxième zone d'implantation. Un matériau bloquant la lumière recouvre ces autres régions et la première zone d'implantation est plus grande que la deuxième zone d'implantation.