193NM RESIST

Acid-catalyzed positive resist compositions which are imageable with 193nm radiation and/or possibly other radiation and are developable to form resist structures of improved development characteristics and improved etch resistance are enabled by the use of resist compositions containing imaging pol...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: KOBAYASHI, EIICHI, KHOJASTEH, MAHMOUD, M, NISHIMURA, YUKIO, CHEN, KUANG-JUNG, VARANASI, PUSHKARA, RAO
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
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Beschreibung
Zusammenfassung:Acid-catalyzed positive resist compositions which are imageable with 193nm radiation and/or possibly other radiation and are developable to form resist structures of improved development characteristics and improved etch resistance are enabled by the use of resist compositions containing imaging polymer component comprising an acid-sensitive polymer having a monomeric unit with a pendant group containing a remote acid labile moiety. L'invention concerne des compositions de résine positives à catalyse acide pouvant être imagées à l'aide d'un rayonnement de 193nm et/ou éventuellement d'autres rayonnements, et qui peuvent être développées, de manière que soit formées des structures de résine à caractéristiques de développement améliorées. Une meilleure résistance à l'attaque peut être obtenue par l'utilisation de ces compositions de résine contenant un composant polymère d'imagerie comprenant un polymère sensible à l'acide renfermant une unité monomère avec un groupe pendant contenant plusieurs fragments labiles d'acide distants.