METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR LASER DIODE

The invention can be used for producing semiconductor laser diodes. The inventive method for producing a semiconductor laser diode consists in producing semiconductor laser heterostructure based on the composition of the group three and five elements, dividing said structure into separate strips, cleaning the side faces thereof in vacuum, applying a protective coating to said side faces. Afterwards, a reflective coating is applied to one side face, an antireflective coating being applied to the opposite side face. In order to clean the side faces of the semiconductor laser heterostructure, the strips are heated to a temperature ranging from 580 DEG C to 760 DEG C, cooled to a temperature ranging from 0 DEG C to 240 DEG C, the side faces are coated with 0.1 to 1000 monolayers of iodine or bromine or chlorine and the strips are heated again to the temperature of 580 DEG C to 760 DEG C. During the heating and cooling of the bands of the semiconductor laser heterostructure, the vapours of the group five element contained in said semiconductor laser heterostructure are transferred to said strips. Said invention makes it possible to prevent defect formation on the near-surface layer of the strips semiconductor laser heterostructure of the semiconductor laser heterostructure during the cleaning thereof, thereby preventing a subsequent degradation of the laser diode in service. L'invention appartient au domaine de la technologie de fabrication de diodes laser semi-conductrices. Selon l'invention, le procédé de fabrication d'une diode laser semi-conductrice consiste à fabriquer une hétéro-structure laser semi-conductrice à base de composés d'éléments des groupes trois et cinq, à séparer l'hétéro-structure en bandes individuelles, à nettoyer sous vide leurs facettes latérales, à y appliquer un revêtement de protection puis à appliquer un revêtement réfléchissant à l'une des facettes latérales et un revêtement d'éclaircissement à la facette latérale opposée. Pour nettoyer les facettes latérales des bandes d'hétéro-structures laser semi-conductrices, on réchauffe les bandes jusqu'à une température entre 580 DEG C et 760 DEG C, on les refroidit jusqu'à une température entre 0 DEG et 240 DEG C, et on applique aux surfaces latérales des bandes entre 0,1 et 1000 monocouches d'iode, de brome ou de chlore et l'on chauffe ces bandes jusqu'à une température entre 580 DEG C et 760 DEG C. Lors du réchauffement et du refroidissement de l'hétérostructure laser on injecte les vape