DEVICE AND METHOD FOR THERMALLY TREATING SEMICONDUCTOR WAFERS

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung zum thermischen Behandeln von Halbleiterwafern mit wenigstens einer zu oxidierenden Siliziumschicht und einer nicht zu oxidierenden Wolframschicht, wobei die Vorrichtung folgendes aufweist: wenigstens eine Strahlungsquelle; eine das Substrat aufnehmende Behandlungskammer, mit wenigstens einem benachbart zu den Strahlungsquellen liegenden Wandteil, der für die Strahlung der Strahlungsquelle im wesentlichen durchsichtig ist; und wenigstens eine Abdeckplatte zwischen dem Substrat und dem benachbart zu den Strahlungsquellen liegenden durchsichtigen Wandteil der Behandlungskammer, wobei die Abdeckplatte so bemessen ist, dass sie den durchsichtigen Wandteil der Behandlungskammer vollständig gegenüber dem Substrat abdeckt, um zu verhindern, dass von dem Substrat abdampfendes Wolfram auf den durchsichtigen Wandteil der Behandlungskammer gelangt. A device for thermally treating semiconductor wafers having at least one silicon layer to be oxidized and a metal layer, preferably a tungsten layer, which is not to be oxidized. The inventive device comprises the following: at least one radiation source; a treatment chamber receiving the substrate, with at least one wall part located adjacent to the radiation sources and which is substantially transparent for the radiation of said radiation source; and at least one cover plate between the substrate and the wall part of the treatment chamber located adjacent to the radiation sources, the dimensions of said cover plate being selected such that it fully covers the transparent wall part of the treatment chamber in relation to the substrate in order to prevent tungsten evaporating from said substrate from becoming deposited on the transparent wall part of the treatment chamber. L'invention concerne un dispositif pour traiter thermiquement des plaquettes semi-conductrices comprenant au moins une couche de silicium à oxyder et une couche de métal ne devant pas être oxydée, de préférence une couche de tungstène, ce dispositif comportant les éléments suivants : au moins une source de rayonnement ; une chambre de traitement recevant le substrat, laquelle est pourvue d'au moins une partie paroi située à proximité des sources de rayonnement et sensiblement transparente pour le rayonnement émis par la source de rayonnement ; au moins une plaque de couverture placée entre le substrat et la partie paroi transparente disposée à proximité des sources de rayonnement de la chambre