LOW TEMPERATURE PLASMA SI OR SIGE FOR MEMS APPLICATIONS

A method is provided for making a MEMS structure (69). In accordance with the method, a CMOS substrate (51) is provided which has interconnect metal (53) deposited thereon. A MEMS structure is created on the substrate through the plasma assisted chemical vapor deposition (PACVD) of a material select...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	SMITH, STEVEN, M, ROOP, RAYMOND, MERVIN, FOERSTNER, JUERGEN, A
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS CAPACITORS CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES ORLIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE ELECTRIC SWITCHES ELECTRICITY EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICALDEVICES MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY PERFORMING OPERATIONS PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTUREOR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS RELAYS SELECTORS TRANSPORTING
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Beschreibung
Zusammenfassung:	A method is provided for making a MEMS structure (69). In accordance with the method, a CMOS substrate (51) is provided which has interconnect metal (53) deposited thereon. A MEMS structure is created on the substrate through the plasma assisted chemical vapor deposition (PACVD) of a material selected from the group consisting of silicon and silicon-germanium alloys. The low deposition temperatures attendant to the use of PACVD allow these materials to be used for MEMS fabrication at the back end of an integrated CMOS process. Cette invention porte sur un procédé de fabrication d'une structure MEMS (69). Selon ce procédé, on utilise un substrat CMOS (51) comportant une couche métallique d'interconnexion (53) déposée sur ce substrat. Une structure MEMS est créée sur le substrat à l'aide de la technique de dépôt par plasma (PACVD) d'un matériau sélectionné dans un groupe comprenant le silicium et des alliages silicium-germanium. Les basses températures de dépôt afférentes à l'utilisation de la technique de dépôt par plasma (PACVD) permettent à ces matériaux d'être utilisés pour la fabrication de MEMS à la fin du processus CMOS intégré.