SEMICONDUCTOR OPTICAL WAVEGUIDE DEVICE

A semiconductor optical waveguide device (1) comprising a semiconductor layer (3) having an upper surface (5), and a lower surface (7) which is defined by a lower confinement layer (9), the semiconductor layer having formed therein: (a) a waveguide (13); (b) at least one recess (19) adjacent to the waveguide (13) and extending from the upper surface (5) of the semiconductor layer (3); (c) at least one doped region (21, 23), at least part of which is situated between a said recess (19) and the lower confinement layer (9); and (d) at least one trench (25) adjacent to a said doped region (21, 23) and recess (19) and situated on an opposite side thereof to the waveguide, wherein the (or each) trench (25) extends from the upper surface of the semiconductor layer (3). L'invention concerne un dispositif de guide d'onde optique semi-conducteur (1) comprenant une couche semi-conductrice (3) pourvue d'une surface supérieure (5) et d'une surface inférieure (7) limitée par une couche de confinement inférieure (9). La couche semi-conductrice comprend : (a) un guide d'onde (13) ; (b) au moins un évidement (19) adjacent au guide d'onde (13), lequel évidement est pratiqué sur la surface supérieure (5) de la couche semi-conductrice (3) ; (c) au moins une région dopée (21, 23), dont au moins une partie est située entre cet évidement (19) et la couche de confinement inférieure (9) ; et (d) au moins une tranchée (25) adjacente à la région dopée (21, 23) et à l'évidement (19) et située sur le côté opposé au guide d'onde, cette (ou ces) tranchées (25) partant de la surface supérieure de la couche semi-conductrice (3).