DIFFUSION BARRIER LAYER IN SEMICONDUCTOR SUBSTRATES TO REDUCE COPPER CONTAMINATION FROM THE BACK SIDE

An SOI substrate includes a diffusion barrier layer (111), the layer thickness and composition of which is selected so as to substantially prevent copper atoms and ions from diffusing through the diffusion barrier layer (111). The diffusion barrier layer (111) is located to substantially reduce the deleterious effect of copper that may be introduced into a semiconductor device from the back side of the substrate (110) during various manufacturing stages of the semiconductor device. In one particular example, a silicon wafer with a silicon nitride layer as a diffusion barrier layer (111) and a silicon wafer with an oxide layer is bonded. After separation, an SOI substrate is obtained that has superior characteristics with respect to resistance against copper back side diffusion. Ce substrat à base de silicium sur isolant (SOI) comporte une couche barrière de diffusion (111) dont l'épaisseur et la composition sont calculées de manière à empêcher sensiblement la diffusion d'atomes et d'ions de cuivre à travers celle-ci. Cette couche barrière de diffusion (111) est placée de manière à réduire les effets préjudiciables de cuivre, susceptible de s'introduire dans le dispositif à semi-conducteurs depuis la face postérieure du substrat (110) lors des différentes étapes de la fabrication de celui-ci. Dans un mode de réalisation particulier, on liaisonne une tranche au silicium ayant une couche de nitrure de silicium comme couche barrière de diffusion (111) et une tranche au silicium ayant une couche d'oxyde. On obtient, après séparation, un substrat SOI dont les propriétés sont supérieures en matière de résistance à la diffusion de cuivre depuis la face postérieure.