METHOD FOR THE PRODUCTION OF A METAL OXIDE POWDER OR A SEMICONDUCTOR OXIDE POWDER, OXIDE POWDER, SOLID BODY, AND THE USE THEREOF
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Mischoxid in Nanostruktur mit hoher elektrischer Leitfähigkeit, beispielsweise Indium-Zinn-Oxid, sowie ein Oxidpulver, einen Festkörper und seine Verwendung als Sputtertarget. Das Oxid wird durch eine kontinuierliche und direkte Oxidation herg...
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Format: | Patent |
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Zusammenfassung: | Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Mischoxid in Nanostruktur mit hoher elektrischer Leitfähigkeit, beispielsweise Indium-Zinn-Oxid, sowie ein Oxidpulver, einen Festkörper und seine Verwendung als Sputtertarget. Das Oxid wird durch eine kontinuierliche und direkte Oxidation hergestellt, Wobei ein Metall-oder Halbleiterwerkstoff die Funktion einer Abschmelzelektrode in einem Sauerstoffplasma erfüllt. Die Synthesereaktion wird bei sehr hoher Temperatur ausgelöst, woran sich ein thermischer Zustand anschliesst, der so gesteuert wird, dass sich eine fehlerfreie kristalline Struktur ergibt, die eine hohe Beweglichkeit elektrischer Ladungen gestattet.
The invention relates to a method for producing nanostructured mixed oxide having a high electrical conductivity, e.g. indium tin oxide, as well as an oxide powder, a solid body, and the use thereof as a sputter target. The oxide is produced by continuous direct oxidation, a metal material or semiconductor material being used as a smelting electrode in an oxygen plasma. The synthesis reaction is triggered at a very high temperature, followed by a thermal state which is controlled in such a way that an error-free crystalline structure allowing high mobility of electrical charges is created.
L'invention se rapporte à un procédé permettant de produire de l'oxyde mixte nanostructuré à électro-conductivité élevée, par exemple de l'oxyde d'indium et de zinc. L'invention concerne en outre une poudre d'oxyde, un corps solide ainsi que l'utilisation de ce corps solide en tant que cible de pulvérisation. L'oxyde est produit par oxydation directe et continue et une matière métallique ou semi-conductrice sert d'électrode de fusion dans un plasma oxygène. La réaction de synthèse est déclenchée à une température très élevée. Il s'ensuit un état thermique qui est régulé de façon à entraîner la formation d'une structure cristalline exempte d'erreur qui assure une mobilité élevée des charges électriques. |
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