MIXED FREQUENCY HIGH TEMPERATURE NITRIDE CVD PROCESS

A mixed-frequency, high temperature PECVD process is utilized to create a high quality silicon nitride layer having highly conformal properties. Deposition in an ammonia rich ambient at high temperature reduces microloading between dense and isolated features by improving surface mobility of precursors. High quality nitride films formed by the instant process are particularly suited for front-end applications such as the formation of spacer structures and the formation of contact etch stop layers. Selon l'invention, une méthode de dépôt chimique en phase vapeur activée au plasma haute température, fréquence mélangée est utilisée pour créer une couche de nitrure de silicium de haute qualité présentant des propriétés hautement enrobantes. Le dépôt dans un espace ambiant riche en ammoniac, à température élevée, réduit la microcharge entre des éléments denses et isolés par amélioration de la mobilité de surface de précurseurs. Les couches de nitrure de haute qualité formées au moyen du procédé instantané sont particulièrement appropriées pour des applications frontales telles que la formation de structures d'espacement et la formation de couches d'arrêt d'attaque chimique par contact.